QUANH LAB
← Danh mục thí nghiệm

Lớp 11 · Dòng điện

Diode theo mô hình ngưỡng

Diode dẫn thuận sau ngưỡng trong mô hình gần đúng; đây không phải đặc tuyến thực đầy đủ.

The threshold model of a diode

Mở thí nghiệm tương tác

Quan hệ khảo sát

I≈max⁡(0,U−Uγ)RI\approx\dfrac{\max(0,U-U_\gamma)}R

I ≈ max(0, U − Uγ)/R. Diode dẫn thuận sau ngưỡng trong mô hình gần đúng; đây không phải đặc tuyến thực đầy đủ.

Điều kiện mô hình

Mô hình ngưỡng từng đoạn, bỏ qua dòng ngược và đánh thủng. Ngưỡng 0,7 V chỉ là lựa chọn gần đúng. Kích thước và tốc độ chuyển động trên hình có thể được thay đổi tỉ lệ để quan sát; dùng số đọc để định lượng.

Gợi ý khảo sát

  1. Thay đổi điện áp nguồn có dấu và dự đoán dòng thuận.
  2. Ghi ít nhất 5 trạng thái; mỗi lần chỉ đổi một biến.
  3. Diode dẫn thuận sau ngưỡng trong mô hình gần đúng; đây không phải đặc tuyến thực đầy đủ.

Mở không gian tương tác để thay tham số, quan sát mô hình, ghi số liệu và xem đồ thị. Phiên thí nghiệm được lưu trên thiết bị đang dùng.